ON Semiconductor NSVDTA114EM3T5G
- 제조업체 부품 번호
- NSVDTA114EM3T5G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PNP 50V BIPOLAR SOT-723
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NSVDTA114EM3T5G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 50.82931
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NSVDTA114EM3T5G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NSVDTA114EM3T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVDTA114EM3T5G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NSVDTA114EM3T5G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NSVDTA114EM3T5G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVDTA114EM3T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MUNx111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 260mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-723 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NSVDTA114EM3T5G | |
| 관련 링크 | NSVDTA1, NSVDTA114EM3T5G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NSVDTA114EM3T5G 의 관련 제품
 | SR201C104KAR | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201C104KAR.pdf | |
 | VJ0402D7R5DXCAC | 7.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D7R5DXCAC.pdf | |
 | VJ1808Y102KBRAT4X | 1000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y102KBRAT4X.pdf | |
-14.jpg) | C2012X7R1E104K/10 | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R1E104K/10.pdf | |
 | MA-506 25.1750M-C0 | 25.175MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 25.1750M-C0.pdf | |
 | SIT1602AI-71-33E-25.000000E | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT1602AI-71-33E-25.000000E.pdf | |
| 1N5618US | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | 1N5618US.pdf | |
 | APT50GT120B2RDLG | IGBT 1200V 106A 694W TO-247 | APT50GT120B2RDLG.pdf | |
 | HVF1206T1007JE | RES SMD 1G OHM 5% 0.3W 1206 | HVF1206T1007JE.pdf | |
.jpg) | RT1206CRD07976RL | RES SMD 976 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD07976RL.pdf | |
 | AA1218FK-0719R1L | RES SMD 19.1 OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-0719R1L.pdf | |
 | RCP0603B160RGEB | RES SMD 160 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B160RGEB.pdf |
