창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSB8JT-E3/45 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NS(F,B)8AT thru NS(F,B)8MT Packaging Information | |
PCN 조립/원산지 | DD-010-2015-Rev-0 10/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 8A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 600V | |
정전 용량 @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NSB8JT-E3/45 | |
관련 링크 | NSB8JT, NSB8JT-E3/45 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | C1206C155K3RACTU | 1.5µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C155K3RACTU.pdf | |
![]() | BFC233829149 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC233829149.pdf | |
![]() | FA-238 48.0000MB-C0 | 48MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 48.0000MB-C0.pdf | |
![]() | HCM4920000000AMJT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4920000000AMJT.pdf | |
![]() | BZX84-C8V2,215 | DIODE ZENER 8.2V 250MW SOT23 | BZX84-C8V2,215.pdf | |
![]() | PZU8.2BL,315 | DIODE ZENER 8.2V 250MW SOD882 | PZU8.2BL,315.pdf | |
![]() | BZV85-C4V3,113 | DIODE ZENER 4.3V 1.3W DO41 | BZV85-C4V3,113.pdf | |
![]() | PE-0402CH3N0STT | 3nH Unshielded Multilayer Inductor 570mA 110 mOhm Max Nonstandard | PE-0402CH3N0STT.pdf | |
![]() | PTN1206E5302BST1 | RES SMD 53K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E5302BST1.pdf | |
![]() | CRCW020162R0FNED | RES SMD 62 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020162R0FNED.pdf |