창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP82N055PUG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NP82N055PUG | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 41A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NP82N055PUG-E1-AY-ND NP82N055PUG-E1-AYTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NP82N055PUG-E1-AY | |
관련 링크 | NP82N055, NP82N055PUG-E1-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | SH150S-0.84-26 | 26µH Unshielded Toroidal Inductor 840mA 200 mOhm Nonstandard | SH150S-0.84-26.pdf | |
![]() | ERA-6AEB7322V | RES SMD 73.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB7322V.pdf | |
![]() | PAT0603E1540BST1 | RES SMD 154 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E1540BST1.pdf | |
![]() | Y07859K00000B0L | RES 9K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y07859K00000B0L.pdf | |
![]() | CP000550R00JE14 | RES 50 OHM 5W 5% AXIAL | CP000550R00JE14.pdf | |
![]() | MS4800S-20-1160 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-20-1160.pdf |