창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP80N055MHE-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NP80N055xHE | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NP80N055MHE-S18-AY | |
관련 링크 | NP80N055M, NP80N055MHE-S18-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | RPE5C2A2R0C2S1B03A | 2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A2R0C2S1B03A.pdf | |
![]() | GRM1885C2A7R1DZ01D | 7.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A7R1DZ01D.pdf | |
![]() | B32522Q8683J | 0.068µF Film Capacitor 200V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | B32522Q8683J.pdf | |
![]() | LDBAA2180GC5N0 | 0.018µF Film Capacitor 16V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.067" W (3.20mm x 1.70mm) | LDBAA2180GC5N0.pdf | |
![]() | V68ZA20PX10 | VARISTOR 68V 2KA DISC 20MM | V68ZA20PX10.pdf | |
![]() | SIT3807AC-23-18NE-27.000000T | OSC XO 1.8V 27MHZ NC | SIT3807AC-23-18NE-27.000000T.pdf | |
![]() | 744775122 | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 1.76A 110 mOhm Max Nonstandard | 744775122.pdf | |
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