창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP33N06YDG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NP33N06YDG | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 16.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-HSON | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NP33N06YDG-E1-AY-ND NP33N06YDG-E1-AYTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NP33N06YDG-E1-AY | |
관련 링크 | NP33N06Y, NP33N06YDG-E1-AY Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | CL10C050DB8NNNC | 5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C050DB8NNNC.pdf | |
![]() | SMBG51A-E3/5B | TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB | SMBG51A-E3/5B.pdf | |
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![]() | ECS-300-10-37Q-ES-TR | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-300-10-37Q-ES-TR.pdf | |
![]() | 1N4003G | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | 1N4003G.pdf | |
![]() | APTM50HM65FT3G | MOSFET 4N-CH 500V 51A SP3 | APTM50HM65FT3G.pdf | |
![]() | 5022R-244J | 240µH Unshielded Inductor 210mA 7.8 Ohm Max 2-SMD | 5022R-244J.pdf | |
![]() | AQY412SZ | PHOTOMOS (MOSFET) RELAY | AQY412SZ.pdf | |
![]() | TNPW060317K4BETA | RES SMD 17.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060317K4BETA.pdf | |
![]() | TNPW0805140KBEEN | RES SMD 140K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805140KBEEN.pdf |