ON Semiconductor NGTB40N65FL2WG
- 제조업체 부품 번호
- NGTB40N65FL2WG
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- IGBT - 단일
- 간단한 설명
- IGBT 650V 80A 366W TO247
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NGTB40N65FL2WG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,770.34444
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NGTB40N65FL2WG, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NGTB40N65FL2WG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB40N65FL2WG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NGTB40N65FL2WG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NGTB40N65FL2WG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NGTB40N65FL2WG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NGTB40N65FL2WG | |
| 주요제품 | On Semi - FL2 Series Field Stop 2 IGBTs | |
| PCN 설계/사양 | FPCN20461X27/nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 160A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A | |
| 전력 - 최대 | 366W | |
| 스위칭 에너지 | 970µJ(켜기), 440µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 170nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 84ns/177ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 40A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 72ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | NGTB40N65FL2WGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NGTB40N65FL2WG | |
| 관련 링크 | NGTB40N, NGTB40N65FL2WG Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NGTB40N65FL2WG 의 관련 제품
 | UP050CH3R3K-A-B | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0H 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050CH3R3K-A-B.pdf | |
 | SMDJ170CA-T7 | TVS DIODE 170VWM 275VC 214AB | SMDJ170CA-T7.pdf | |
 | RB060L-40DDTE25 | DIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDS | RB060L-40DDTE25.pdf | |
 | SI7450DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | SI7450DP-T1-GE3.pdf | |
 | PA4334.683NLT | 68µH Shielded Wirewound Inductor 240mA 2.171 Ohm Max Nonstandard | PA4334.683NLT.pdf | |
E.jpg) | VLS2012ET-1R0N | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 86 mOhm Max Nonstandard | VLS2012ET-1R0N.pdf | |
 | RPC1210JT120R | RES SMD 120 OHM 5% 1/2W 1210 | RPC1210JT120R.pdf | |
 | PE0603FRF7T0R05L | RES SMD 0.05 OHM 1% 1/3W 0603 | PE0603FRF7T0R05L.pdf | |
 | RCWE2512R820JKEA | RES SMD 0.82 OHM 5% 2W 2512 | RCWE2512R820JKEA.pdf | |
 | PTN1206E9423BST1 | RES SMD 942K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E9423BST1.pdf | |
| Y162514K0000Q0R | RES SMD 14K OHM 0.02% 0.3W 1206 | Y162514K0000Q0R.pdf | |
.jpg) | RCG1206100RFKEA | RES SMD 100 OHM 1% 1/4W 1206 | RCG1206100RFKEA.pdf |
