ON Semiconductor NDD03N60ZT4G
- 제조업체 부품 번호
- NDD03N60ZT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NDD03N60ZT4G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 289.85299
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NDD03N60ZT4G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NDD03N60ZT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDD03N60ZT4G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NDD03N60ZT4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NDD03N60ZT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NDD03N60ZT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NDx03N60Z | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6옴 @ 1.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 312pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 61W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NDD03N60ZT4G-ND NDD03N60ZT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NDD03N60ZT4G | |
| 관련 링크 | NDD03N, NDD03N60ZT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NDD03N60ZT4G 의 관련 제품
.jpg) | CKCM25X7R1E103M060AL | 10000pF Isolated Capacitor 2 Array 25V X7R 0504 (1410 Metric) 0.054" L x 0.039" W (1.37mm x 1.00mm) | CKCM25X7R1E103M060AL.pdf | |
 | CS1206JKNPOZBN221 | 220pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CS1206JKNPOZBN221.pdf | |
 | BUK9637-100E,118 | MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK | BUK9637-100E,118.pdf | |
 | VLF403212MT-3R3M-CA | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.91A 91 mOhm Max Nonstandard | VLF403212MT-3R3M-CA.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ0402P15NHT000 | 15nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 2 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P15NHT000.pdf | |
| PTKM500R-59VM | 500µH Shielded Toroidal Inductor 2.6A 160 mOhm Max Radial | PTKM500R-59VM.pdf | |
 | CPF-A-0805B39RE | RES SMD 39 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF-A-0805B39RE.pdf | |
 | ERJ-1GNF6490C | RES SMD 649 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF6490C.pdf | |
 | TNPU080528K0AZEN00 | RES SMD 28K OHM 0.05% 1/8W 0805 | TNPU080528K0AZEN00.pdf | |
| Y1611350R000T9W | RES SMD 350 OHM 0.01% 0.3W 2010 | Y1611350R000T9W.pdf | |
 | CFM14JT9R10 | RES 9.1 OHM 1/4W 5% CF MINI | CFM14JT9R10.pdf | |
 | CMF50163R00FHEB | RES 163 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50163R00FHEB.pdf |
