창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMSZ5235BS-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MMSZ5221BS - 5259BS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMSZ5235BSDITR MMSZ5235BSTR MMSZ5235BSTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MMSZ5235BS-7 | |
관련 링크 | MMSZ52, MMSZ5235BS-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | 383LX153M080N082 | 15000µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 3000 Hrs @ 105°C | 383LX153M080N082.pdf | |
![]() | MALIEYN07LV412L02K | 1200µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 221 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALIEYN07LV412L02K.pdf | |
![]() | GRM0335C2A6R2CA01D | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C2A6R2CA01D.pdf | |
![]() | LD033A821JAB2A | 820pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD033A821JAB2A.pdf | |
![]() | 405I35D36M00000 | 36MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405I35D36M00000.pdf | |
![]() | SIT9003AC-23-33SO-33.33000Y | OSC XO 3.3V 33.33MHZ ST -0.50% | SIT9003AC-23-33SO-33.33000Y.pdf | |
![]() | FDS8842NZ | MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC | FDS8842NZ.pdf | |
![]() | 5022R-103H | 10µH Unshielded Inductor 610mA 900 mOhm Max 2-SMD | 5022R-103H.pdf | |
![]() | TE300B330RJ | RES CHAS MNT 330 OHM 5% 300W | TE300B330RJ.pdf | |
![]() | RT2010DKE071K02L | RES SMD 1.02K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE071K02L.pdf | |
![]() | RCP0505B1K60GS6 | RES SMD 1.6K OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B1K60GS6.pdf |