GeneSiC Semiconductor MBR12020CTR
- 제조업체 부품 번호
- MBR12020CTR
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MBR12020CTR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 57,328.12000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MBR12020CTR, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. MBR12020CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR12020CTR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MBR12020CTR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MBR12020CTR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR12020CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MBR12020CT thru MBR12040CTR D-67 (Half Pak) Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 120A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 1242-1053 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MBR12020CTR | |
| 관련 링크 | MBR12, MBR12020CTR Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
MBR12020CTR 의 관련 제품
 | GRM188F50J475ZE20D | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188F50J475ZE20D.pdf | |
 | ECQ-E2105JFA | 1µF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial | ECQ-E2105JFA.pdf | |
| MKP386M439125JT5 | 0.39µF Film Capacitor 550V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.319" L x 0.866" W (33.50mm x 22.00mm) | MKP386M439125JT5.pdf | |
 | 416F26013IDT | 26MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26013IDT.pdf | |
| SIT1602BI-22-33E-18.432000E | OSC XO 3.3V 18.432MHZ OE | SIT1602BI-22-33E-18.432000E.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1001CL2-020.5972T | 20.5972MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CL2-020.5972T.pdf | |
 | IRFIZ46G | MOSFET N-CH 50V TO-220FP | IRFIZ46G.pdf | |
| 0819R-62J | 39µH Unshielded Molded Inductor 83.5mA 6.8 Ohm Max Axial | 0819R-62J.pdf | |
.jpg) | TNPU1206255KBZEN00 | RES SMD 255K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206255KBZEN00.pdf | |
 | 741X043750JP | RES ARRAY 2 RES 75 OHM 0404 | 741X043750JP.pdf | |
| MBA02040C1602FCT00 | RES 16K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1602FCT00.pdf | |
 | Y000734R8000T9L | RES 34.8 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y000734R8000T9L.pdf |
