창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LDECB3100KA0N00 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | LDECB3100KA0N00 SMD Film Cap Catalogue LDE Series | |
제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2078 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 필름 커패시터 | |
제조업체 | Kemet | |
계열 | LDE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.1µF | |
허용 오차 | ±10% | |
정격 전압 - AC | 40V | |
정격 전압 - DC | 50V | |
유전체 소재 | 폴리에스테르, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 금속화 - 적층형 | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
크기/치수 | 0.130" L x 0.098" W(3.30mm x 2.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.083"(2.10mm) | |
종단 | 솔더 패드 | |
리드 간격 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
특징 | 고온 | |
표준 포장 | 2,250 | |
다른 이름 | 399-5476-2 DECB3100KA0N00 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | LDECB3100KA0N00 | |
관련 링크 | LDECB31, LDECB3100KA0N00 Datasheet, Kemet Distributor |
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![]() | BFC238603334 | 0.33µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.319" L x 0.866" W (33.50mm x 22.00mm) | BFC238603334.pdf | |
![]() | 445A22D12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22D12M00000.pdf | |
![]() | 742792118 | 600 Ohm Impedance Ferrite Bead 1206 (3216 Metric) Surface Mount Signal Line 2.5A 1 Lines 70 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | 742792118.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF1131V | RES SMD 1.13K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF1131V.pdf | |
![]() | ERA-2AED683X | RES SMD 68K OHM 0.5% 1/16W 0402 | ERA-2AED683X.pdf | |
![]() | RP73D2A24K9BTDF | RES SMD 24.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A24K9BTDF.pdf | |
![]() | CAY10-681J4LF | RES ARRAY 4 RES 680 OHM 0804 | CAY10-681J4LF.pdf | |
![]() | CW0105R600JE123 | RES 5.6 OHM 13W 5% AXIAL | CW0105R600JE123.pdf | |
![]() | ADF7021BCPZ | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 80MHz ~ 650MHz, 862MHz ~ 950MHz 48-VFQFN Exposed Pad, CSP | ADF7021BCPZ.pdf |