창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTY2N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(A,P,Y)2N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 655pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 86W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 70 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTY2N100P | |
관련 링크 | IXTY2, IXTY2N100P Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | SA24CA-E3/73 | TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO204AC | SA24CA-E3/73.pdf | |
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![]() | TS353T23CDT | 35.328MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS353T23CDT.pdf | |
![]() | 416F32035ADR | 32MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035ADR.pdf | |
![]() | SRU2009-1R0Y | 1µH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 110 mOhm Max Nonstandard | SRU2009-1R0Y.pdf | |
![]() | CNY17F3SR2VM | Optoisolator Transistor Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD | CNY17F3SR2VM.pdf | |
![]() | RNF14DTD7K06 | RES 7.06K OHM 1/4W .5% AXIAL | RNF14DTD7K06.pdf | |
![]() | Y1189100K000TR23R | RES 100K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y1189100K000TR23R.pdf | |
![]() | P51-100-A-S-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Female - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-S-P-4.5V-000-000.pdf |