창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTV60N30T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 50 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3, 짧은 탭 | |
공급 장치 패키지 | PLUS220 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTV60N30T | |
관련 링크 | IXTV6, IXTV60N30T Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | 564RZ5UTK302EE102M | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 | 564RZ5UTK302EE102M.pdf | |
![]() | VJ0805D511GXXAT | 510pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D511GXXAT.pdf | |
![]() | 416F37413IDR | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37413IDR.pdf | |
![]() | 416F38022ILT | 38MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38022ILT.pdf | |
![]() | 510GBA-AAAG | 100kHz ~ 124.999MHz CMOS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 26mA Enable/Disable | 510GBA-AAAG.pdf | |
![]() | PP150T120 | IGBT ASSEMBLY 3PHASE 1200V 150A | PP150T120.pdf | |
![]() | KSA1298YMTF | TRANS PNP 25V 0.8A SOT-23 | KSA1298YMTF.pdf | |
![]() | PBA150S | Solid State Relay DPST-NO/NC (1 Form A and B) 8-SMD (0.300", 7.62mm) | PBA150S.pdf | |
![]() | RT0402FRE07549RL | RES SMD 549 OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE07549RL.pdf | |
![]() | ERJ-S12F2103U | RES SMD 210K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F2103U.pdf | |
![]() | Y1691V0167BT9L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y1691V0167BT9L.pdf |