IXYS IXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV 가격 및 조달
가능 수량
1173 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 15,014.03900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IXTH1N200P3HV, we specialize in all series IXYS electronic components. IXTH1N200P3HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH1N200P3HV, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IXTH1N200P3HV 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IXTH1N200P3HV 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IXTH1N200P3HV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IXTx1N200P3(HV) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2000V(2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 646pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247HV | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IXTH1N200P3HV | |
| 관련 링크 | IXTH1N, IXTH1N200P3HV Datasheet, IXYS Distributor | |
IXTH1N200P3HV 의 관련 제품
 | MAL218097002E3 | 82µF 35V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | MAL218097002E3.pdf | |
 | B41231B5129M | 12000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B41231B5129M.pdf | |
| B43501E107M87 | 100µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.33 Ohm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501E107M87.pdf | |
 | LGY2W221MELC | 220µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | LGY2W221MELC.pdf | |
| VJ0805D111KLCAR | 110pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D111KLCAR.pdf | |
 | SIT8008ACB7-30S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3V 4.5mA Standby | SIT8008ACB7-30S.pdf | |
| MSAD100-12 | DIODE MODULE 1.2KV 100A D1 | MSAD100-12.pdf | |
 | PHN203,518 | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | PHN203,518.pdf | |
 | IMC1210ER180K | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 151mA 3.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ER180K.pdf | |
| 511-6G | 240nH Unshielded Molded Inductor 1.935A 60 mOhm Max Axial | 511-6G.pdf | |
 | 4922-48L | 8.2mH Unshielded Wirewound Inductor 77mA 66 Ohm Max Nonstandard | 4922-48L.pdf | |
-TNPW-SERIES.jpg) | TNPW06033K60BEEA | RES SMD 3.6K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06033K60BEEA.pdf |
