창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTH102N20T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(Q,H)102N20T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 102A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 114nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 750W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247(IXTH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTH102N20T | |
관련 링크 | IXTH1, IXTH102N20T Datasheet, IXYS Distributor |
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DEA1X3F470JC3B | 47pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | DEA1X3F470JC3B.pdf | ||
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![]() | RT0603WRD07649RL | RES SMD 649 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD07649RL.pdf | |
![]() | 744C083181JP | RES ARRAY 4 RES 180 OHM 2012 | 744C083181JP.pdf | |
![]() | BMM150 | 3-AXIS GEOMAGNETIC SENS 12-WLCSP | BMM150.pdf |