창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFB40N110Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXFB40N110Q3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 260m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1560W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXFB40N110Q3 | |
관련 링크 | IXFB40, IXFB40N110Q3 Datasheet, IXYS Distributor |
![]() | CMR05C2R0DPDP | CMR MICA | CMR05C2R0DPDP.pdf | |
![]() | SA130CA-E3/54 | TVS DIODE 130VWM 209VC DO204AC | SA130CA-E3/54.pdf | |
![]() | SMCJ33AE3/TR13 | TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMCJ | SMCJ33AE3/TR13.pdf | |
![]() | CM309E11289600ABJT | 11.2896MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E11289600ABJT.pdf | |
![]() | ASTMHTA-66.666MHZ-XK-E-T3 | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-66.666MHZ-XK-E-T3.pdf | |
![]() | LF2020NP-392 | 3.9mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 410 mOhm | LF2020NP-392.pdf | |
![]() | ERJ-6ENF1872V | RES SMD 18.7K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF1872V.pdf | |
![]() | AC1206FR-0782RL | RES SMD 82 OHM 1% 1/4W 1206 | AC1206FR-0782RL.pdf | |
![]() | RT2010DKD0722RL | RES SMD 22 OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKD0722RL.pdf | |
![]() | RG2012V-1961-B-T5 | RES SMD 1.96K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-1961-B-T5.pdf | |
![]() | RW2S0DAR005FE | RES SMD 0.005 OHM 1% 2W J LEAD | RW2S0DAR005FE.pdf | |
![]() | CMF6030K100FKEA | RES 30.1K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6030K100FKEA.pdf |