창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9120NTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF(R,U)9120NPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR9120NTRPBF Saber Model IRFR9120NTRPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 02/Apr/2015 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1515 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 3.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR9120NPBFTR SP001557182 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR9120NTRPBF | |
관련 링크 | IRFR912, IRFR9120NTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | BFC237541471 | 470pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | BFC237541471.pdf | |
![]() | SIT1602BI-22-XXE-12.000000E | OSC XO 12MHZ OE | SIT1602BI-22-XXE-12.000000E.pdf | |
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![]() | CRGH0805J470K | RES SMD 470K OHM 5% 1/3W 0805 | CRGH0805J470K.pdf | |
![]() | TNPW060322R6BETA | RES SMD 22.6 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060322R6BETA.pdf | |
![]() | YC248-FR-07909RL | RES ARRAY 8 RES 909 OHM 1606 | YC248-FR-07909RL.pdf | |
![]() | ERX-1SJ4R3A | RES 4.3 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJ4R3A.pdf | |
![]() | E69-C04B | COUPLING FOR ROTARY ENCODER | E69-C04B.pdf |