Infineon Technologies IRFR540ZPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFR540ZPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFR540ZPBF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 469.96717
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFR540ZPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFR540ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR540ZPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFR540ZPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR540ZPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR540ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRF(R,U)540ZPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28.5m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1690pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 91W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001555140 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR540ZPBF | |
| 관련 링크 | IRFR5, IRFR540ZPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFR540ZPBF 의 관련 제품
 | B43601B5157M60 | 150µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 720 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601B5157M60.pdf | |
 | 445C22G30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 30pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C22G30M00000.pdf | |
 | ASFL1-64.000MHZ-L-T | 64MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 45mA Enable/Disable | ASFL1-64.000MHZ-L-T.pdf | |
| SIT8918BE-22-33E-12.800000E | OSC XO 3.3V 12.8MHZ OE | SIT8918BE-22-33E-12.800000E.pdf | |
.jpg) | IMC0603ER18NG01 | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 170 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | IMC0603ER18NG01.pdf | |
| IMCH1812ER3R3K | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 220 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMCH1812ER3R3K.pdf | |
 | 103-822GS | 8.2µH Unshielded Inductor 195mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 103-822GS.pdf | |
 | RMCF0603FT232K | RES SMD 232K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FT232K.pdf | |
| CRCW1218274RFKEK | RES SMD 274 OHM 1% 1W 1218 | CRCW1218274RFKEK.pdf | |
 | RG1608P-4220-P-T1 | RES SMD 422 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-4220-P-T1.pdf | |
 | RNF18FTD14R7 | RES 14.7 OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD14R7.pdf | |
 | WW1FT1K27 | RES 1.27K OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT1K27.pdf |
