창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR2407TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFR2407, IRFU2407 IRFR2407PbF, IRFU2407PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR2407TRPBF Saber Model IRFR2407TRPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IRFR2407PBFTR IRFR2407TRPBF-ND IRFR2407TRPBFTR-ND SP001556854 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFR2407TRPBF | |
관련 링크 | IRFR24, IRFR2407TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RJK03M4DPA-00#J5A | MOSFET N-CH 30V 35A WPAK | RJK03M4DPA-00#J5A.pdf | |
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![]() | RT0805WRB072K37L | RES SMD 2.37KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB072K37L.pdf | |
![]() | 4820P-1-333 | RES ARRAY 10 RES 33K OHM 20SOIC | 4820P-1-333.pdf | |
![]() | CFR-25JR-52-2K | RES 2K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-2K.pdf | |
RSMF2JT15K0 | RES METAL OX 2W 15K OHM 5% AXL | RSMF2JT15K0.pdf | ||
![]() | UB3C-82R1F8 | RES 82.1 OHM 3W 1% AXIAL | UB3C-82R1F8.pdf | |
![]() | CMF5596R500DHBF | RES 96.5 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5596R500DHBF.pdf |