창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFH7190TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRFH7190PbF | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 22/Jul/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | FASTIRFET™, HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 82A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 49A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.6V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1685pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001560410 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRFH7190TRPBF | |
관련 링크 | IRFH71, IRFH7190TRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | CGH602T350X4L | 6000µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 32.3 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | CGH602T350X4L.pdf | |
![]() | MVY35VC471MK14TP | 470µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | MVY35VC471MK14TP.pdf | |
![]() | GRM1555C1E2R5BA01D | 2.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E2R5BA01D.pdf | |
![]() | VJ1812A271KBLAT4X | 270pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A271KBLAT4X.pdf | |
![]() | 224PPA102K | 0.22µF Film Capacitor 525V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.689" Dia x 1.339" L (17.50mm x 34.00mm) | 224PPA102K.pdf | |
![]() | TC-33.000MBD-T | 33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TC-33.000MBD-T.pdf | |
![]() | IPU60R600C6AKMA1 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251 | IPU60R600C6AKMA1.pdf | |
![]() | H11A3M-V | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP | H11A3M-V.pdf | |
![]() | RT1206DRE074K22L | RES SMD 4.22K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE074K22L.pdf | |
![]() | PLTT0805Z3790QGT5 | RES SMD 379 OHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z3790QGT5.pdf | |
![]() | TNPW2512634RBEEG | RES SMD 634 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512634RBEEG.pdf | |
![]() | NBPLPNN400MGUNV | Pressure Sensor 5.8 PSI (40 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 87 mV (5V) 6-SMD, No Lead, Top Port | NBPLPNN400MGUNV.pdf |