Infineon Technologies IRFB3207ZGPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFB3207ZGPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IRFB3207ZGPBF 가격 및 조달
가능 수량
1826 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,075.67400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IRFB3207ZGPBF, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IRFB3207ZGPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB3207ZGPBF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IRFB3207ZGPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFB3207ZGPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFB3207ZGPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IRFB3207ZGPBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 TO220/247 Fab Site Transfer 19/May/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6920pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001554560 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IRFB3207ZGPBF | |
| 관련 링크 | IRFB32, IRFB3207ZGPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IRFB3207ZGPBF 의 관련 제품
 | 226ULR010MEF | 22µF 10V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 7.54 Ohm 2000 Hrs @ 105°C | 226ULR010MEF.pdf | |
 | EEE-HAJ330WAR | 33µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEE-HAJ330WAR.pdf | |
 | GJM0335C1E8R0DB01J | 8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E8R0DB01J.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM21BR61H225KA73K | 2.2µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BR61H225KA73K.pdf | |
 | VJ0603D360JXAAJ | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D360JXAAJ.pdf | |
 | VJ0402D1R1BLCAC | 1.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R1BLCAC.pdf | |
 | MKP385362063JFI2B0 | 0.062µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP385362063JFI2B0.pdf | |
 | 8020.5018 | FUSE CARTRIDGE CERAMIC 5A 500V | 8020.5018.pdf | |
| APTM100A23STG | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | APTM100A23STG.pdf | |
| IHSM7832RG562L | 5.6mH Unshielded Inductor 210mA 11.8 Ohm Max Nonstandard | IHSM7832RG562L.pdf | |
 | RMCF1210FT1K65 | RES SMD 1.65K OHM 1% 1/3W 1210 | RMCF1210FT1K65.pdf | |
 | CMF5522K000FKEA | RES 22K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5522K000FKEA.pdf |
