창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF7205PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF7205PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 95 | |
다른 이름 | SP001551218 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF7205PBF | |
관련 링크 | IRF72, IRF7205PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | B82422H1684J | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 61mA 31 Ohm Max 2-SMD | B82422H1684J.pdf | |
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![]() | RG2012N-432-D-T5 | RES SMD 4.3K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-432-D-T5.pdf | |
![]() | TNPW1206562RBEEA | RES SMD 562 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206562RBEEA.pdf | |
![]() | RT1206WRC07324KL | RES SMD 324K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC07324KL.pdf | |
![]() | TAH20P10K0JE | RES 10K OHM 20W 5% TO220 | TAH20P10K0JE.pdf | |
![]() | RN-4870-SNSR | RN4870 SENSOR BOARD | RN-4870-SNSR.pdf |