창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6717MTRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF6717M(TR)PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF6717MTR1PBF Saber Model IRF6717MTR1PBF Spice Model | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Dec/2013 | |
PCN 조립/원산지 | DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 기타 | MSL Update 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Ta), 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.25m옴 @ 38A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.35V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6750pF @ 13V | |
전력 - 최대 | 2.8W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ MX | |
표준 포장 | 4,800 | |
다른 이름 | IRF6717MTRPBF-ND IRF6717MTRPBFTR SP001525458 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF6717MTRPBF | |
관련 링크 | IRF671, IRF6717MTRPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RNF14FTC6R19 | RES 6.19 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC6R19.pdf | |
![]() | B5J36RE | RES 36 OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J36RE.pdf | |
![]() | Y01101M60000B0L | RES 1.6M OHM 1.1W 0.1% AXIAL | Y01101M60000B0L.pdf | |
![]() | 1H0565-3 | RF Directional Coupler Military 1GHz ~ 2GHz 3dB 150W | 1H0565-3.pdf |