창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF6674TR1PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF6674TRPBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF6674TR1PBF Saber Model IRF6674TR1PBF Spice Model | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Dec/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 기타 | MSL Update 20/Feb/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1520 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.4A(Ta), 67A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 13.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.9V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 MZ | |
공급 장치 패키지 | DIRECTFET™ MZ | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IRF6674TR1PBFTR SP001571484 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF6674TR1PBF | |
관련 링크 | IRF667, IRF6674TR1PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | AQ12EA0R6BAJME | 0.60pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA0R6BAJME.pdf | |
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![]() | P6DS-04P | Relay Socket Through Hole | P6DS-04P.pdf | |
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![]() | MCW0406MD5600BP100 | RES SMD 560 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD5600BP100.pdf | |
![]() | CF18JT75R0 | RES 75 OHM 1/8W 5% CARBON FILM | CF18JT75R0.pdf | |
![]() | Y00075K90000T0L | RES 5.9K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00075K90000T0L.pdf |