창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF5305PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF5305PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF5305PBF Saber Model IRF5305PBF Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF5305PBF 94-4306PBF 94-4306PBF-ND SP001564354 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF5305PBF | |
관련 링크 | IRF53, IRF5305PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RC0805DR-07124KL | RES SMD 124K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-07124KL.pdf | |
![]() | MRS25000C8069FC100 | RES 80.6 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C8069FC100.pdf | |
![]() | CMF55118R00FKEB | RES 118 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55118R00FKEB.pdf | |
![]() | CMF605K4200BER670 | RES 5.42K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF605K4200BER670.pdf | |
![]() | CP00157K500KE143 | RES 7.5K OHM 15W 10% AXIAL | CP00157K500KE143.pdf | |
![]() | P61-200-S-A-I18-20MA-A | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P61-200-S-A-I18-20MA-A.pdf |