창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF5210PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF5210PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF5210PBF Saber Model IRF5210PBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame BOM Chg 20/May/2016 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF5210PBF SP001559642 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF5210PBF | |
관련 링크 | IRF52, IRF5210PBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | EEU-FC2A151B | 150µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-FC2A151B.pdf | |
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![]() | ECS-196.6-20-4 | 19.6608MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-196.6-20-4.pdf | |
![]() | IXFX55N50F | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 | IXFX55N50F.pdf | |
![]() | PTHF100R-59VM | 100µH Shielded Toroidal Inductor 4.9A 44 mOhm Max Radial | PTHF100R-59VM.pdf | |
![]() | AA0805FR-074R64L | RES SMD 4.64 OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-074R64L.pdf | |
![]() | RT1206WRC071K4L | RES SMD 1.4K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRC071K4L.pdf | |
![]() | EXB-34V683JV | RES ARRAY 2 RES 68K OHM 0606 | EXB-34V683JV.pdf | |
![]() | BB1360WS | 136MHz Whip, Straight RF Antenna 136MHz ~ 174MHz 0dB Connector, NMO Base Mount | BB1360WS.pdf |