창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF4905SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IRF4905(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF4905LPBF Saber Model IRF4905LPBF Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet D2Pak Assembly Site 9/Aug/2013 D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 42A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 94-2494PBF 94-2494PBF-ND SP001563360 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IRF4905SPBF | |
관련 링크 | IRF49, IRF4905SPBF Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | 63ZLH1800MEFC18X35.5 | 1800µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 63ZLH1800MEFC18X35.5.pdf | |
![]() | LMK212B7225MD-T | 2.2µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | LMK212B7225MD-T.pdf | |
![]() | VJ0805D100MXPAP | 10pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100MXPAP.pdf | |
![]() | AQ147M2R7CAJWE | 2.7pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M2R7CAJWE.pdf | |
![]() | B32621A4153J289 | 0.015µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | B32621A4153J289.pdf | |
![]() | 416F50013IAR | 50MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50013IAR.pdf | |
![]() | FC-255 32.7680K-E3 | 32.768kHz ±20ppm 수정 6pF 65k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | FC-255 32.7680K-E3.pdf | |
![]() | TC-37.500MBD-T | 37.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | TC-37.500MBD-T.pdf | |
![]() | VS-71HFLR100S05 | DIODE STD REC ISO LEAD 70A DO5 | VS-71HFLR100S05.pdf | |
![]() | IRD3CH31DD6 | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | IRD3CH31DD6.pdf | |
![]() | ISO7221AQDRQ1 | General Purpose Digital Isolator 4000Vpk 2 Channel 1Mbps 25kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ISO7221AQDRQ1.pdf | |
![]() | DP09SHN15B30F | DP09S HOR 15P NDET 30F M7*7MM | DP09SHN15B30F.pdf |