Infineon Technologies IPP180N10N3GXKSA1
- 제조업체 부품 번호
- IPP180N10N3GXKSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPP180N10N3GXKSA1 가격 및 조달
가능 수량
5555 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 485.55900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPP180N10N3GXKSA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPP180N10N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP180N10N3GXKSA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPP180N10N3GXKSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPP180N10N3GXKSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP180N10N3GXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx180N10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP180N10N3 G IPP180N10N3 G-ND IPP180N10N3G SP000683090 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPP180N10N3GXKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP180N1, IPP180N10N3GXKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPP180N10N3GXKSA1 의 관련 제품
 | 18125A222JAT2A | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18125A222JAT2A.pdf | |
 | BFC236511474 | 0.47µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.217" W (10.00mm x 5.50mm) | BFC236511474.pdf | |
 | ATV06B330JB-HF | TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA | ATV06B330JB-HF.pdf | |
 | ECS-35-17-5PDN-TR | 3.579545MHz ±30ppm 수정 17pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-35-17-5PDN-TR.pdf | |
 | PSMN4R0-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK | PSMN4R0-30YLDX.pdf | |
 | OP236TX | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.55V 100mA 18° TO-46-2 Lens Top Metal Can | OP236TX.pdf | |
 | T73YP502KT20 | 5k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | T73YP502KT20.pdf | |
.jpg) | HKQ0603U1N5S-T | 1.5nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 150 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | HKQ0603U1N5S-T.pdf | |
| 1-1616147-9 | CONTACT ASSY | 1-1616147-9.pdf | |
 | CW0103R300JE12 | RES 3.3 OHM 13W 5% AXIAL | CW0103R300JE12.pdf | |
| E3Z-R61-G2SRW-M1 | SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M12 CONN | E3Z-R61-G2SRW-M1.pdf | |
 | HSCSNBV015PD4A5 | Pressure Sensor ±15 PSI (±103.42 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 12 b 4-SIP, Dual Ports, Same Side | HSCSNBV015PD4A5.pdf |
