창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP041N12N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13800pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP041N12N3G IPP041N12N3GXKSA1 SP000652746 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPP041N12N3 G | |
관련 링크 | IPP041, IPP041N12N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RG1005V-6810-W-T1 | RES SMD 681 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-6810-W-T1.pdf | |
![]() | CMF5534K000DEBF | RES 34K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5534K000DEBF.pdf | |
![]() | CPCP106R800JE32 | RES 6.8 OHM 10W 5% RADIAL | CPCP106R800JE32.pdf | |
![]() | CW34 | 37MHz Whip, Straight RF Antenna 34MHz ~ 40MHz 0dB Connector, NMO Base Mount | CW34.pdf | |
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