Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1

IPI80N06S2L11AKSA1
제조업체 부품 번호
IPI80N06S2L11AKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
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내부 부품 번호EIS-IPI80N06S2L11AKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx80N06S2L-11
PCN 조립/원산지Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014
Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs11m옴 @ 60A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 93µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2075pF @ 25V
전력 - 최대158W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지PG-TO262-3
표준 포장 500
다른 이름IPI80N06S2L-11
IPI80N06S2L-11-ND
SP000218176
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPI80N06S2L11AKSA1
관련 링크IPI80N06S, IPI80N06S2L11AKSA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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