Infineon Technologies IPD50R1K4CEAUMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD50R1K4CEAUMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD50R1K4CEAUMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 238.80640
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD50R1K4CEAUMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD50R1K4CEAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R1K4CEAUMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD50R1K4CEAUMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD50R1K4CEAUMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R1K4CEAUMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 900mA, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 70µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 178pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001396808 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R1K4CEAUMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R1K, IPD50R1K4CEAUMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD50R1K4CEAUMA1 의 관련 제품
 | GRT31CR60J156KE01L | 15µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRT31CR60J156KE01L.pdf | |
 | 885012010002 | 0.022µF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 885012010002.pdf | |
 | VJ0805D911GXAAJ | 910pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D911GXAAJ.pdf | |
 | VJ1812Y104JBPAT4X | 0.10µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y104JBPAT4X.pdf | |
 | SMCG16AHE3/9AT | TVS DIODE 16VWM 26VC SMC | SMCG16AHE3/9AT.pdf | |
 | VS-4CSH02HM3/86A | DIODE HYP FASST 200V 2A TO277A | VS-4CSH02HM3/86A.pdf | |
.jpg) | B82422T1272J | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 900 mOhm Max 2-SMD | B82422T1272J.pdf | |
 | IMC1210EB220J | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 145mA 3.7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EB220J.pdf | |
 | SDS850R-223M | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 180 mOhm Max Nonstandard | SDS850R-223M.pdf | |
.jpg) | RV0603FR-0759KL | RES SMD 59K OHM 1% 1/10W 0603 | RV0603FR-0759KL.pdf | |
 | RG1608Q-16R2-D-T5 | RES SMD 16.2 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608Q-16R2-D-T5.pdf | |
 | CMF5514K300FKRE70 | RES 14.3K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5514K300FKRE70.pdf |
