Infineon Technologies IPD30N06S2L13ATMA4
- 제조업체 부품 번호
- IPD30N06S2L13ATMA4
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD30N06S2L13ATMA4 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 476.02120
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD30N06S2L13ATMA4, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD30N06S2L13ATMA4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD30N06S2L13ATMA4, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD30N06S2L13ATMA4 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD30N06S2L13ATMA4 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD30N06S2L13ATMA4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD30N06S2L-13 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 80µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001061280 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD30N06S2L13ATMA4 | |
| 관련 링크 | IPD30N06S, IPD30N06S2L13ATMA4 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD30N06S2L13ATMA4 의 관련 제품
 | RDE5C2A470J0M1H03A | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDE5C2A470J0M1H03A.pdf | |
 | 04025A6R8JAT2A | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A6R8JAT2A.pdf | |
 | 08053A392JAT2A | 3900pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053A392JAT2A.pdf | |
 | T86D107K6R3EAAL | 100µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 350 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D107K6R3EAAL.pdf | |
 | FXO-HC735R-38.912 | 38.912MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC735R-38.912.pdf | |
 | SSA210 | DIODE SCHOTTKY 2A 100V SMA | SSA210.pdf | |
 | BTA16-600BWRG | TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB | BTA16-600BWRG.pdf | |
.jpg) | RHC2512FT4R12 | RES SMD 4.12 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT4R12.pdf | |
 | MAALSS0043SMB | EVAL BOARD FOR MAALSS0043TR-3000 | MAALSS0043SMB.pdf | |
 | CC2520RHDTG4 | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 28-VFQFN Exposed Pad | CC2520RHDTG4.pdf | |
 | QSE159 | IC SENSOR INV OPEN-COLL SIDELOOK | QSE159.pdf | |
| P51-1000-S-J-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-1000-S-J-D-20MA-000-000.pdf |
