창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L07ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP80N06S2L-07 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3160pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 210W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2L-07 IPB80N06S2L-07-ND SP000218867 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L07ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S2L07ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SMCJ75A-HRAT7 | TVS DIODE 75VWM 121VC | SMCJ75A-HRAT7.pdf | |
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![]() | TRR01MZPF8250 | RES SMD 825 OHM 1% 1/16W 0402 | TRR01MZPF8250.pdf | |
![]() | FCR2010J27R | RES SMD 27 OHM 5% 1/2W 2010 | FCR2010J27R.pdf | |
![]() | RCP1206B820RGS2 | RES SMD 820 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B820RGS2.pdf | |
![]() | RCP0505B220RGET | RES SMD 220 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B220RGET.pdf | |
![]() | AF164-FR-0711R5L | RES ARRAY 4 RES 11.5 OHM 1206 | AF164-FR-0711R5L.pdf | |
![]() | CFR-25JR-52-91K | RES 91K OHM 1/4W 5% AXIAL | CFR-25JR-52-91K.pdf |