창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N04S2H4ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N04S2-H4 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 148nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N04S2-H4 IPB80N04S2-H4-ND SP000218165 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N04S2H4ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N04, IPB80N04S2H4ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
564R30GAQ56 | 56pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사형, 디스크 0.331" Dia(8.40mm) | 564R30GAQ56.pdf | ||
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![]() | SIT8209AC-G2-33E-148.500000Y | OSC XO 3.3V 148.5MHZ OE | SIT8209AC-G2-33E-148.500000Y.pdf | |
![]() | H8255RBYA | RES 255 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8255RBYA.pdf | |
![]() | ANT-BEAD-GSM | 900MHz, 1.8GHz Bead RF Antenna 0dBi Solder Through Hole | ANT-BEAD-GSM.pdf | |
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