Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB35N10S3L26ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB35N10S3L26ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 466.28500
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB35N10S3L26ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB35N10S3L26ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB35N10S3L26ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB35N10S3L26ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB35N10S3L26ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB35N10S3L26ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB35N10S3L-26 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 26.3m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 39µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000776044 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB35N10S3L26ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB35N10S, IPB35N10S3L26ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB35N10S3L26ATMA1 의 관련 제품
 | MKP1845310105 | 10000pF Film Capacitor 600V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.256" Dia x 1.142" L (6.50mm x 29.00mm) | MKP1845310105.pdf | |
 | 1.5SMC160A-M3/9AT | TVS DIODE 136VWM 219VC SMCJ | 1.5SMC160A-M3/9AT.pdf | |
 | CX2520DB20000D0GPSC1 | 20MHz ±15ppm 수정 8pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2520DB20000D0GPSC1.pdf | |
| SIT1602AC-12-33E-40.000000D | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT1602AC-12-33E-40.000000D.pdf | |
 | CDSER400 | DIODE GEN PURP 80V 100MA 0503 | CDSER400.pdf | |
.jpg) | B82422T3390J | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 190 mOhm Max 2-SMD | B82422T3390J.pdf | |
.jpg) | AF0805FR-07300KL | RES SMD 300K OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-07300KL.pdf | |
 | RG1608N-3401-W-T5 | RES SMD 3.4KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-3401-W-T5.pdf | |
.jpg) | RT1210CRB0727KL | RES SMD 27K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB0727KL.pdf | |
 | CMF5575R000FKR670 | RES 75 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5575R000FKR670.pdf | |
| Y096030R0000F9L | RES 30 OHM 10W 1% RADIAL | Y096030R0000F9L.pdf | |
| PPT0050AWN5VA | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0050AWN5VA.pdf |
