창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB160N04S203ATMA4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB160N04S2-03 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001058962 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB160N04S203ATMA4 | |
관련 링크 | IPB160N04, IPB160N04S203ATMA4 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 0FLQ.187T | FUSE CRTRDGE 187MA 500VAC/300VDC | 0FLQ.187T.pdf | |
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![]() | APT58M50JU2 | MOSFET N-CH 500V 58A SOT227 | APT58M50JU2.pdf | |
![]() | 7447798250 | 2.5µH Shielded Wirewound Inductor 13.7A 4.95 mOhm Max Nonstandard | 7447798250.pdf | |
![]() | RCS08051K50FKEA | RES SMD 1.5K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08051K50FKEA.pdf | |
![]() | RT0805DRE07305RL | RES SMD 305 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07305RL.pdf | |
![]() | RG1608P-6650-P-T1 | RES SMD 665 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608P-6650-P-T1.pdf | |
![]() | CRCW0402360KFKEDHP | RES SMD 360K OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW0402360KFKEDHP.pdf | |
![]() | CMF553M4800FKEB | RES 3.48M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553M4800FKEB.pdf |