Infineon Technologies IPB019N06L3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPB019N06L3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB019N06L3 G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,745.78976
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB019N06L3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB019N06L3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB019N06L3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB019N06L3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB019N06L3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB019N06L3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB019N06L3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 196µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 166nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB019N06L3 G-ND IPB019N06L3G IPB019N06L3GATMA1 SP000453020 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB019N06L3 G | |
| 관련 링크 | IPB019, IPB019N06L3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB019N06L3 G 의 관련 제품
 | VPR761U040L1L | 760µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can 40 mOhm @ 10kHz 2000 Hrs @ 105°C | VPR761U040L1L.pdf | |
 | SA305C154KAR | 0.15µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.150" Dia x 0.290" L(3.81mm x 7.37mm) | SA305C154KAR.pdf | |
 | 416F26023ASR | 26MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26023ASR.pdf | |
 | BAS70-05T-7-F | DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT523 | BAS70-05T-7-F.pdf | |
 | PSMN7R0-60YS,115 | MOSFET N-CH 60V LFPAK | PSMN7R0-60YS,115.pdf | |
 | CAX-1.1-6.8 | 6.8mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.1A DCR 342 mOhm | CAX-1.1-6.8.pdf | |
 | NRS4012T220MDGJV | 22µH Shielded Wirewound Inductor 620mA 480 mOhm Max Nonstandard | NRS4012T220MDGJV.pdf | |
 | 9250A-271-RC | 270nH Shielded Molded Inductor 855mA 110 mOhm Max Axial | 9250A-271-RC.pdf | |
 | RL1220S-100-F | RES SMD 10 OHM 1% 1/3W 0805 | RL1220S-100-F.pdf | |
 | EXB-24V333JX | RES ARRAY 2 RES 33K OHM 0404 | EXB-24V333JX.pdf | |
 | CMF55220K00JHRE | RES 220K OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF55220K00JHRE.pdf | |
 | MIC38HC44-1BM | Converter Offline Boost, Buck, Flyback, Forward Topology 500kHz 14-SOIC | MIC38HC44-1BM.pdf |
