Infineon Technologies IPB015N04L G

IPB015N04L G
제조업체 부품 번호
IPB015N04L G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
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IPB015N04L G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB015N04L G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPB015N04L G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.5m옴 @ 100A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 200µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs346nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds28000pF @ 25V
전력 - 최대250W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB015N04L G-ND
IPB015N04L GTR
IPB015N04LG
IPB015N04LGATMA1
SP000387948
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB015N04L G
관련 링크IPB015, IPB015N04L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB015N04L G 의 관련 제품
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22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2812 (7132 Metric) 200 mOhm 0.280" L x 0.126" W (7.10mm x 3.20mm) 594D226X0025C2T.pdf
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