Cornell Dubilier Electronics (CDE) HZA336M080G24T-F
- 제조업체 부품 번호
- HZA336M080G24T-F
- 제조업 자
- Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 제품 카테고리
- 알루미늄 - 고분자 커패시터
- 간단한 설명
- 33µF 80V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 36 mOhm 10000 Hrs @ 105°C
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
HZA336M080G24T-F 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,759.38000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of HZA336M080G24T-F, we specialize in all series Cornell Dubilier Electronics (CDE) electronic components. HZA336M080G24T-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HZA336M080G24T-F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- HZA336M080G24T-F 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
HZA336M080G24T-F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HZA336M080G24T-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | HZA Type | |
| 제품 교육 모듈 | Type HZA, Hybrid Aluminum Polymer Capacitors | |
| 주요제품 | HZA Hybrid Polymer-Aluminum Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 - 고분자 커패시터 | |
| 제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
| 계열 | HZA, 하이브리드 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 33µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 80V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 36m옴 | |
| 수명 @ 온도 | 10000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 바이패스, 디커플링 | |
| 리플 전류 | 170mA | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | - | |
| 크기/치수 | 0.394" Dia(10.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.413"(10.50mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | 0.406" L x 0.406" W(10.30mm x 10.30mm) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - SMD | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | HZA336M080G24T-F | |
| 관련 링크 | HZA336M0, HZA336M080G24T-F Datasheet, Cornell Dubilier Electronics (CDE) Distributor | |
HZA336M080G24T-F 의 관련 제품
 | HR0030BE35236BA1 | 3500pF 5000V(5kV) 세라믹 커패시터 Y5U(E) 비표준 | HR0030BE35236BA1.pdf | |
 | 445W33G25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33G25M00000.pdf | |
 | SS8P5CHM3/87A | DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO277A | SS8P5CHM3/87A.pdf | |
| S70DR | DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5 | S70DR.pdf | |
 | ATF-34143-TR2G | FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 | ATF-34143-TR2G.pdf | |
 | TPCC8008(TE12L,QM) | MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON | TPCC8008(TE12L,QM).pdf | |
 | CRCW20109R53FNEF | RES SMD 9.53 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20109R53FNEF.pdf | |
| TLM2AER022JTD | RES SMD 0.022 OHM 5% 1/4W 0805 | TLM2AER022JTD.pdf | |
,-0612.jpg) | PRG3216P-4421-D-T5 | RES SMD 4.42K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-4421-D-T5.pdf | |
 | RG1608P-154-W-T1 | RES SMD 150KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-154-W-T1.pdf | |
.jpg) | RT1210WRB0759KL | RES SMD 59K OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB0759KL.pdf | |
 | WW1FT49R9 | RES 49.9 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT49R9.pdf |
