창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD6N40CTM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FQD6N40C D-PAK Tape and Reel Data | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 2.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 625pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD6N40CTM-ND FQD6N40CTMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FQD6N40CTM | |
관련 링크 | FQD6N, FQD6N40CTM Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | MKP385351160JI02W0 | 0.051µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP385351160JI02W0.pdf | |
![]() | IRFR3709ZPBF | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | IRFR3709ZPBF.pdf | |
![]() | RCL121868R0JNEK | RES SMD 68 OHM 1W 1812 WIDE | RCL121868R0JNEK.pdf | |
![]() | 3-2176073-9 | RES SMD 1.33KOHM 0.5% 1/32W 0201 | 3-2176073-9.pdf | |
![]() | RG1005N-2372-B-T5 | RES SMD 23.7KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-2372-B-T5.pdf | |
![]() | RT1206WRD07464KL | RES SMD 464K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD07464KL.pdf | |
![]() | YC158TJR-0730KL | RES ARRAY 8 RES 30K OHM 1206 | YC158TJR-0730KL.pdf | |
RSMF3JT5R10 | RES METAL OX 3W 5.1 OHM 5% AXL | RSMF3JT5R10.pdf |