Fairchild Semiconductor FDY101PZ
- 제조업체 부품 번호
- FDY101PZ
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDY101PZ 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 110.63340
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDY101PZ, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDY101PZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDY101PZ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDY101PZ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDY101PZ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDY101PZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDY101PZ | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 20/Aug/2008 | |
| 카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 150mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 100pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 446mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-89, SOT-490 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-89-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDY101PZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDY101PZ | |
| 관련 링크 | FDY1, FDY101PZ Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDY101PZ 의 관련 제품
 | UUJ1C102MNQ1ZD | 1000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | UUJ1C102MNQ1ZD.pdf | |
| MKP1841327636V | 0.027µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP1841327636V.pdf | |
 | 7M-31.250MAAE-T | 31.25MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-31.250MAAE-T.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1121CI5-080.0000T | 80MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CI5-080.0000T.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1101DL2-050.6880 | 50.688MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101DL2-050.6880.pdf | |
 | MURS360-E3/9AT | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | MURS360-E3/9AT.pdf | |
 | BZX884-B62,315 | DIODE ZENER 62V 250MW SOD882 | BZX884-B62,315.pdf | |
 | CZRB5357B-HF | DIODE ZENER 20V 5W SMB | CZRB5357B-HF.pdf | |
 | PSMN4R4-80PS,127 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB | PSMN4R4-80PS,127.pdf | |
 | ASPI-0615FS-3R3N-T2 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.8A 30 mOhm Nonstandard | ASPI-0615FS-3R3N-T2.pdf | |
 | ERJ-L08UJ78MV | RES SMD 0.078 OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-L08UJ78MV.pdf | |
| XPC01GTH | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.83mm) Tube 0 mV ~ 18 mV (12V) 4-SIP Module | XPC01GTH.pdf |
