창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP045N10A_F102 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | FDP/FDI045N10A_F102 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 263W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | FDP045N10A_F102 | |
관련 링크 | FDP045N, FDP045N10A_F102 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | GBU10K | DIODE BRIDGE 800V 10A GBU | GBU10K.pdf | |
![]() | VS-70HFR140 | DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO203AB | VS-70HFR140.pdf | |
![]() | ERJ-T08J224V | RES SMD 220K OHM 5% 1/3W 1206 | ERJ-T08J224V.pdf | |
![]() | CRGV0805J330K | RES SMD 330K OHM 5% 1/8W 0805 | CRGV0805J330K.pdf | |
![]() | RCL0612499RFKEA | RES SMD 499 OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL0612499RFKEA.pdf | |
![]() | RT0603CRC078K66L | RES SMD 8.66K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRC078K66L.pdf | |
![]() | CRCW0805124RFKEB | RES SMD 124 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805124RFKEB.pdf | |
HIH-4020-001 | Humidity Temperature Sensor 0 ~ 100% RH Analog Voltage ±3.5% RH 5s Through Hole | HIH-4020-001.pdf |