Fairchild Semiconductor FDN306P

FDN306P
제조업체 부품 번호
FDN306P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
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내부 부품 번호EIS-FDN306P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDN306P
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Wire Bonding 07/Nov/2008
Mold Compound 08/April/2008
PCN 포장Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
카탈로그 페이지 1597 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.8V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs40m옴 @ 2.6A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs17nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1138pF @ 6V
전력 - 최대460mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SuperSOT-3
표준 포장 3,000
다른 이름FDN306PTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDN306P
관련 링크FDN, FDN306P Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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