Fairchild Semiconductor FDD3510H

FDD3510H
제조업체 부품 번호
FDD3510H
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
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내부 부품 번호EIS-FDD3510H
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서FDD3510H
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 채널 및 P 채널, 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)80V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.3A, 2.8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs80m옴 @ 4.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds800pF @ 40V
전력 - 최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-5, DPak(4 리드(lead) + 탭), TO-252AD
공급 장치 패키지TO-252-4L
표준 포장 2,500
다른 이름FDD3510HTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDD3510H
관련 링크FDD3, FDD3510H Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor
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