Fairchild Semiconductor FDB8441
- 제조업체 부품 번호
- FDB8441
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
FDB8441 가격 및 조달
가능 수량
11550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,354.37703
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of FDB8441, we specialize in all series Fairchild Semiconductor electronic components. FDB8441 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8441, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- FDB8441 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDB8441 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDB8441 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | FDB8441_F085 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Ta), 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FDB8441TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | FDB8441 | |
| 관련 링크 | FDB, FDB8441 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor | |
FDB8441 의 관련 제품
 | 860080674008 | 82µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | 860080674008.pdf | |
 | 16YXG1000MEFC10X16 | 1000µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 16YXG1000MEFC10X16.pdf | |
 | 0603YD105MAT4A | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603YD105MAT4A.pdf | |
 | GRM0336R1E6R6DD01D | 6.6pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E6R6DD01D.pdf | |
 | 9C-54.000MAAJ-T | 54MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C-54.000MAAJ-T.pdf | |
 | FA-238 50.0000MD50X-FF0 | 50MHz ±30ppm 수정 6.4pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 50.0000MD50X-FF0.pdf | |
 | DSC1101AI2-033.3333T | 33.3333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101AI2-033.3333T.pdf | |
 | 1PMT5938E3/TR7 | DIODE ZENER 36V 3W DO216AA | 1PMT5938E3/TR7.pdf | |
 | PTFA092201E V1 | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | PTFA092201E V1.pdf | |
 | STL6N3LLH6 | MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 | STL6N3LLH6.pdf | |
 | MCS04020D2552BE100 | RES SMD 25.5KOHM 0.1% 1/16W 0402 | MCS04020D2552BE100.pdf | |
| UPF50B250RV | RES 250 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | UPF50B250RV.pdf |
