창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E11F102 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 900V | |
배리스터 전압(통상) | 1000V(1kV) | |
배리스터 전압(최대) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 서지 | 5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 625VAC | |
최대 DC 전압 | 825VDC | |
에너지 | 280J | |
패키지/케이스 | 14mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | ERZE11F102 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E11F102 | |
관련 링크 | ERZ-E, ERZ-E11F102 Datasheet, Panasonic Electronic Components Distributor |
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![]() | ECS-147.4-18-5PXEN-TR | 14.7456MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-147.4-18-5PXEN-TR.pdf | |
![]() | 445I32B13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32B13M00000.pdf | |
![]() | MCH6203-TL-E | TRANS NPN/PNP 50V 1A 6MCPH | MCH6203-TL-E.pdf | |
![]() | PG0087.103NL | 10µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 124 mOhm Max Nonstandard | PG0087.103NL.pdf | |
![]() | RC0201FR-075M49L | RES SMD 5.49M OHM 1% 1/20W 0201 | RC0201FR-075M49L.pdf | |
![]() | CRCW121043R0JNTA | RES SMD 43 OHM 5% 1/2W 1210 | CRCW121043R0JNTA.pdf | |
![]() | RT1210BRD0722R6L | RES SMD 22.6 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0722R6L.pdf | |
![]() | TNPW0805953KBEEN | RES SMD 953K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805953KBEEN.pdf | |
![]() | PXV1220S-8DBN3-T | RF Attenuator 8dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-8DBN3-T.pdf |