창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ERZ-E08E681 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ZNR Series E, Type D Datasheet | |
주요제품 | ERZ-E Series ZNR® Transient/Surge Absorbers Hot New Technologies | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | ZNR® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 612V | |
배리스터 전압(통상) | 680V | |
배리스터 전압(최대) | 748V | |
전류 - 서지 | 3.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 420VAC | |
최대 DC 전압 | 560VDC | |
에너지 | 92J | |
패키지/케이스 | 11.5mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | ERZE08E681 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ERZ-E08E681 | |
관련 링크 | ERZ-E, ERZ-E08E681 Datasheet, Panasonic Electronic Components Distributor |
![]() | MCM01-001EF121J-F | METAL CLAD - MICA | MCM01-001EF121J-F.pdf | |
![]() | TCA0G475M8R | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 5.6 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TCA0G475M8R.pdf | |
![]() | SMCG36CAHE3/9AT | TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMC | SMCG36CAHE3/9AT.pdf | |
![]() | SIT8008AI-11-33E-64.000000E | OSC XO 3.3V 64MHZ OE | SIT8008AI-11-33E-64.000000E.pdf | |
![]() | VBO125-08NO7 | DIODE BRIDGE 124A 800V PWS-C | VBO125-08NO7.pdf | |
![]() | 2020R-06F | 180nH Unshielded Toroidal Inductor 1.6A 70 mOhm Max Radial | 2020R-06F.pdf | |
![]() | RE1206FRE0784R5L | RES SMD 84.5 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0784R5L.pdf | |
![]() | RT0603FRE0761K9L | RES SMD 61.9K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE0761K9L.pdf | |
![]() | RG3216P-4750-B-T1 | RES SMD 475 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-4750-B-T1.pdf | |
![]() | CMF556M4900FKR6 | RES 6.49M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF556M4900FKR6.pdf | |
![]() | DP16VN12A20F | DP16 VER 12P NDET 20F M9*5MM | DP16VN12A20F.pdf | |
![]() | E3T-ST12-M1TJ 0.3M | SENSOR PHOTOELECTRIC 0.3M NPN | E3T-ST12-M1TJ 0.3M.pdf |