Diodes Incorporated DMP32D4S-13

DMP32D4S-13
제조업체 부품 번호
DMP32D4S-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
Datesheet 다운로드
다운로드
DMP32D4S-13 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 71.50572
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of DMP32D4S-13, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMP32D4S-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP32D4S-13, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
DMP32D4S-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMP32D4S-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMP32D4S-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서DMP32D4S
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C300mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.4옴 @ 300mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds51.16pF @ 15V
전력 - 최대370mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23
표준 포장 10,000
다른 이름DMP32D4S-13DITR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)DMP32D4S-13
관련 링크DMP32, DMP32D4S-13 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor
DMP32D4S-13 의 관련 제품
220µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C 10YXG220MEFCTA6.3X11.pdf
15000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 12 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C MAL210273153E3.pdf
1.5µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) C2012JB1C155M125AA.pdf
39pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GRM1886P2A390JZ01D.pdf
0.56µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial B32653A4564J289.pdf
47µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 150 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) TPSD476K016A0150.pdf
106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTV-106.250MHZ-ZJ-E-T.pdf
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AA UF3003-G.pdf
MOSFET N-CH 30V 23A DFN AON6370.pdf
Unshielded 2 Coil Inductor Array 40.5µH Inductance - Connected in Series 10.1µH Inductance - Connected in Parallel 20.99 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 5.7A Nonstandard P0399NLT.pdf
RES 3.5 OHM 13W 10% AXIAL CW0103R500KE73.pdf
RES 1 OHM 5W 10% RADIAL CPCP051R000KB32.pdf