Diodes Incorporated DMG6402LVT-7
- 제조업체 부품 번호
- DMG6402LVT-7
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
DMG6402LVT-7 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 69.49800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of DMG6402LVT-7, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. DMG6402LVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG6402LVT-7, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- DMG6402LVT-7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMG6402LVT-7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG6402LVT-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | DMG6402LVT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 498pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMG6402LVT-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | DMG6402LVT-7 | |
| 관련 링크 | DMG640, DMG6402LVT-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
DMG6402LVT-7 의 관련 제품
 | 476RZM050M | 47µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 4.233 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | 476RZM050M.pdf | |
 | MKP383527063JPP2T0 | 2.7µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.846" W (43.00mm x 21.50mm) | MKP383527063JPP2T0.pdf | |
 | SMDA03C-7/TR7 | TVS DIODE 3.3VWM 9VC 8SOIC | SMDA03C-7/TR7.pdf | |
 | 416F52012ALT | 52MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52012ALT.pdf | |
| 2N5794U | TRANS 2NPN 40V 0.6A 6CLCC | 2N5794U.pdf | |
 | LXR1601-6G | AC/DC CONVERTER 24.7V 375W | LXR1601-6G.pdf | |
 | ELC-12E182L | 1.8mH Shielded Wirewound Inductor 320mA 1.9 Ohm Radial | ELC-12E182L.pdf | |
| CD105NP-151KC | 150µH Unshielded Inductor 780mA 470 mOhm Max Nonstandard | CD105NP-151KC.pdf | |
 | RMCF0201FT442K | RES SMD 442K OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT442K.pdf | |
 | RG3216P-1782-D-T5 | RES SMD 17.8K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-1782-D-T5.pdf | |
.jpg) | RT0805BRC0786R6L | RES SMD 86.6 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC0786R6L.pdf | |
 | SKY13523-639LF | RF Switch IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA SP3T 3GHz 50 Ohm 14-QFN (1.6x1.6) | SKY13523-639LF.pdf |
