Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR

CTLDM303N-M832DS TR
제조업체 부품 번호
CTLDM303N-M832DS TR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
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내부 부품 번호EIS-CTLDM303N-M832DS TR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서CTLDM303N-M832DS
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Declaration of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Central Semiconductor Corp
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs40m옴 @ 1.8A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs13nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds590pF @ 10V
전력 - 최대1.65W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-TDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지TLM832DS
표준 포장 3,000
다른 이름CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)CTLDM303N-M832DS TR
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