창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18536KCS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CSD18536KCS | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18536KCS Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 108nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11430pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CSD18536KCS | |
관련 링크 | CSD18, CSD18536KCS Datasheet, Texas Instruments Distributor |
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![]() | VJ0603D1R9CXCAC | 1.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R9CXCAC.pdf | |
![]() | C1206C392G1GACTU | 3900pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C392G1GACTU.pdf | |
![]() | 12OEFMA6.3 | FUSE 12KV 6.3AMP 2.5" OIL | 12OEFMA6.3.pdf | |
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![]() | SIT1618AA-12-33S-25.000000E | OSC XO 3.3V 25MHZ ST | SIT1618AA-12-33S-25.000000E.pdf | |
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![]() | SC5022F-681 | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 680mA 1.24 Ohm Max Nonstandard | SC5022F-681.pdf | |
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